近日，巴斯夫与中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司签署合作意向书，推进其湛江一体化基地可再生能源电力及低碳发展领域的合作伙伴关系，其中包括为期25年的可再生能源电力采购计划、能源规划、储能、碳封存捕集利用等领域。湛江一体化基地项目是巴斯夫迄今为止最大的单笔投资项目，总投资额将达100亿欧元，并由巴斯夫独立建设运营。建成后，该基地将成为巴斯夫在全球的第三大生产基地，仅次于德国路德维希港基地和比利时安特卫普基地。
SKC半导体原材料事业关联公司SK enpulse于9月13日宣布，将目前在中国运营的湿化学业务出售给江苏雅克科技股份有限公司子公司雅克半导体，并将其清洁业务出售给投资专家北京亦盛精密半导体有限公司（简称“亦盛精密”）。
据悉，SK enpulse此次出售包括湿化学业务75%的股权和清洁业务90%的股权，金额约为8800亿韩元。9月12日召开董事会后，SK enpulse分别与雅克科技和亦盛精密签署了股票购买协议（SPA）。
据悉，扩建后的晶圆厂每年将额外生产45万片300毫米晶圆，将格芯新加坡的总产能提高到每年约150万片300毫米晶圆。
格芯的新加坡业务为全球200家客户提供服务，还包括另外两家工厂，每年分别生产72万片300毫米晶圆和69.2万片200毫米晶圆，这些芯片用于汽车和5G技术kaiyun。
据外媒报道，英特尔公司日前表示已同意将IMS Nanofabrication约10%的股份出售给台积电，此次交易对IMS的估值约为43亿美元。
根据公开信息，IMS Nanofabrication是一家位于奥地利的多电子束直写光刻设备厂商，产品主要应用于先进工艺节点光刻掩膜制造，英特尔最初于2009年投资IMS，并最终于2015年收购了该业务，自收购以来，IMS为英特尔带来显著投资回报，将其员工和生产能力增长了四倍，并交付了三代产品。
今年以来，英特尔对这一重要业务资产展开股权重组，6月宣布将IMS业务约20%的股份出售给贝恩资本，彼时交易估值同为43亿美元，公告介绍称，引入外部投资者将使IMS通过加速创新和实现更深入的跨行业合作来抓住多光束掩模写入工具的重要市场机会。
东京大学日前开发出了通过光学方法构建的薄膜和柔性多点3轴压力传感器。该传感器可以检测3厘米 x 4厘米区域内3轴压力的分布，高精度法向和切向压力感应分别高达360和100千帕。多孔橡胶用作3轴压敏光调制器，省略了厚而刚性的聚焦系统，而不会牺牲灵敏度。此外，通过集成薄而灵活的背光和成像器，传感器的总厚度为1.5毫米，即使弯曲到18毫米的半径，也能正常工作，有望应用于机器人的电子皮肤和保健等领域。
近日，日本产业技术综合研究所（AIST）开发出将钛酸钡（BTO）立方单晶（纳米立方）单层薄膜用作介电层，多层石墨烯薄膜用作电极层交替层压工艺技术。据介绍，该技术有望成为实现多层陶瓷电容器 (MLCC) 内介电层和电极层交替层压结构大幅薄化的基础技术。
迄今为止，AIST已成功利用水热法合成了BTO纳米立方体，并制备了厚度约为20 nm的单层薄膜，其中BTO纳米立方体以二维方式规则排列。此次开发与电极层交替层压技术，使BTO纳米立方单层薄膜可以用作MLCC内部的介电层。在这项研究中，研究员开发了一种工艺技术，将尺寸约为20 nm的BTO纳米立方体二维排列的单层薄膜和厚度为2~3nm的多层石墨烯交替堆叠。
日前，日本企业OKI与信越化学联合开发了一项新技术，该技术将实现低成本垂直GaN（氮化镓）功率器件。该技术仅从“QST基板”（一种专用于GaN生长的复合材料基板）上剥离GaN功能层，并将其粘合到不同材料的基板上。如果采用新技术实现垂直GaN功率器件，与现有技术相比，将有可能将成本降低至十分之一左右。
OKI和信越化学开发的新技术是利用OKI开发的“CFB（晶体薄膜键合）技术”分离在信越化学独特改进的QST衬底上生长的单晶GaN，并键合异种材料衬底。这使得在GaN中实现垂直导电性并同时增加晶圆直径成为可能，“有助于社会上可实施的垂直GaN功率器件的实现和广泛使用。”
Enpower Japan在日本横滨市建立了可独自开发锂金属二次电池的试制工厂。按照电池的蓄电容量换算，这个具有年产1万千瓦时能力的工厂计划从今年末开始分阶段启动，将提供容量约为现有锂离子电池(LiB)1.5倍的电池，推动无人机和汽车等领域的需求。
该公司，还计划24年春开始提供18650和21700两种规格的圆筒形锂金属电池样品，时机成熟后还将加入压板型电池品种。
